DIGITIMES Research觀察,邏輯芯片工藝現(xiàn)已達5納米節(jié)點,且量產業(yè)者為數(shù)有限,臺積電雖技術領先,但三星電子(Samsung Electronics)亦積極追趕,除4納米工藝將在2021年下半推出外,并將在3納米啟用環(huán)繞式閘極場效晶體管(Gate-All-Around Field Effect Transistor;GAAFET)技術欲超越臺積電,然三星已推遲3納米工藝至2023年量產,恐使其更難追趕臺積電。
DIGITIMES Research觀察,邏輯芯片工藝現(xiàn)已達5納米節(jié)點,且量產業(yè)者為數(shù)有限,臺積電雖技術領先,但三星電子(Samsung Electronics)亦積極追趕,除4納米工藝將在2021年下半推出外,并將在3納米啟用環(huán)繞式閘極場效晶體管(Gate-All-Around Field Effect Transistor;GAAFET)技術欲超越臺積電,然三星已推遲3納米工藝至2023年量產,恐使其更難追趕臺積電。
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