DIGITIMES Research：三星推遲3納米工藝量產(chǎn)至2023年 恐不利與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)

　　 DIGITIMES Research觀察，邏輯芯片工藝現(xiàn)已達(dá)5納米節(jié)點(diǎn)，且量產(chǎn)業(yè)者為數(shù)有限，臺(tái)積電雖技術(shù)領(lǐng)先，但三星電子(Samsung Electronics)亦積極追趕，除4納米工藝將在2021年下半推出外，并將在3納米啟用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效晶體管(Gate-All-Around Field Effect Transistor；GAAFET)技術(shù)欲超越臺(tái)積電，然三星已推遲3納米工藝至2023年量產(chǎn)，恐使其更難追趕臺(tái)積電。