中天弘宇發(fā)布先進存儲技術 實現(xiàn)中國存儲器底層技術零的突破

　　英唐智控今日官微消息：8月22日，英唐智控合作伙伴中天弘宇舉行先進存儲技術發(fā)布會。該技術由傳統(tǒng)的“熱電子注入”(CHE)升級為“二次電子倍增注入浮柵”，并創(chuàng)造性地對閃存存儲單元結構進行了重構，使新的存儲單元突破短溝道穿通的世界性難題、并兼容標準的邏輯制程。中國工程院院士倪光南指出，本次發(fā)布的先進存儲技術是一項重大發(fā)明，實現(xiàn)了中國存儲器底層技術零的突破。英唐智控董事長受邀出席發(fā)布會，英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署《合作協(xié)議》。英唐智控表示，本次發(fā)布會的成功召開，將有望加快推進雙方的合作進程。