中信建投：碳化硅國產突破正加速

　　中信建投認為，碳化硅襯底的使用極限性能優于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件。我們把SiC器件發展分為三個發展階段：2019-2021年為初期，2022-2023年為拐點期，2024-2026年為爆發期。SiC隨著在新能源汽車、充電基礎設施、5G基站、工業和能源等應用領域展開，需求迎來爆發增長，其中，能源汽車是SIC器件應用增長最快的市場，預計2022-2026年的市場規模從16億美元到46億美元。