三星電子預(yù)計(jì)將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術(shù)之上。三星稱(chēng)，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術(shù)將使芯片面積減少45%，同時(shí)性能提高30%，功耗降低50%。
三星電子預(yù)計(jì)將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術(shù)之上。三星稱(chēng)，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術(shù)將使芯片面積減少45%，同時(shí)性能提高30%，功耗降低50%。
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