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同花順7x24快訊
安世半導體消息，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。
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