智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

　　據(jù)湖北日?qǐng)?bào)，東風(fēng)公司旗下智新半導(dǎo)體已成功研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊，能實(shí)現(xiàn)更低損耗、更高效率，承受更高溫度、更高電壓。搭載到整車(chē)上后，能進(jìn)一步提升車(chē)輛續(xù)航里程，減少整車(chē)成本。智新半導(dǎo)體已投產(chǎn)的IGBT模塊，能夠滿足車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品的高可靠性要求，比同類進(jìn)口產(chǎn)品至少便宜10%以上。目前，智新半導(dǎo)體正啟動(dòng)IGBT模塊二期項(xiàng)目建設(shè)方案，年產(chǎn)能將達(dá)到120萬(wàn)只，預(yù)計(jì)2024年建成，不僅能滿足東風(fēng)公司到2025年產(chǎn)銷(xiāo)100萬(wàn)輛新能源汽車(chē)對(duì)IGBT模塊的需求，還能為其他車(chē)企供貨。