光大證券研報(bào)指出，半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三維保形性，在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。2020年，全球ALD設(shè)備市場規(guī)模約占薄膜沉積設(shè)備整體市場的11%。從晶圓廠設(shè)備投資構(gòu)成來看，薄膜沉積設(shè)備投資額占晶圓制造設(shè)備總投資額的比重約達(dá)25%。隨著全球和國內(nèi)晶圓廠的加速建設(shè)和擴(kuò)產(chǎn)，以及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)向更細(xì)微演進(jìn)，ALD設(shè)備市場空間廣闊。
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