9月19日，截至午間收盤(pán)，碳化硅概念股表現(xiàn)活躍，天富能源、天通股份漲停，東尼電子、晶升股份、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電等跟漲。
消息面上，日前，華為公布兩項(xiàng)專(zhuān)利，均涉及碳化硅散熱，包括《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》，兩項(xiàng)專(zhuān)利均用碳化硅做填料，提高電子設(shè)備的導(dǎo)熱能力。其中，前者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件的散熱和封裝芯片，后者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件、電路板。
除此之外，此前英偉達(dá)在其新一代Rubin處理器設(shè)計(jì)中，將CoWoS先進(jìn)封裝的中間基板材料從硅更換為碳化硅，以提升散熱性能，并預(yù)計(jì)2027年開(kāi)始大規(guī)模采用。
碳化硅材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，僅次于金剛石。公開(kāi)資料顯示，碳化硅熱導(dǎo)率達(dá)500W/mK，相比之下，硅的熱導(dǎo)率僅為約150W/mK，陶瓷基板熱導(dǎo)率約200W/mK~230W/mK。此外，碳化硅熱膨脹系數(shù)與芯片材料高度契合，既能高效散熱，又能保障封裝穩(wěn)定性。
據(jù)數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì)，今年9月份以來(lái)，多只碳化硅概念股獲融資資金加倉(cāng)，通富微電、露笑科技、天岳先進(jìn)、英唐智控、天通股份獲加倉(cāng)金額均超過(guò)3億元。
碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域從電力電子擴(kuò)展到封裝散熱，打開(kāi)了市場(chǎng)增量空間。東吳證券測(cè)算，以當(dāng)前英偉達(dá)H100 3倍光罩的2500mm2中介層為例，假設(shè)12英寸碳化硅晶圓可生產(chǎn)21個(gè)3倍光罩尺寸的中介層，2024年出貨的160萬(wàn)張H100若未來(lái)替換成碳化硅中介層，則對(duì)應(yīng)76190張襯底需求。
責(zé)任編輯：榮曉敏
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