業(yè)內(nèi)人士透露,長江存儲最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品,預(yù)計將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。據(jù)《電子時報》報道,上述人士表示,推出192層3D NAND閃存芯片,是長江存儲的一個里程碑。該公司正努力在技術(shù)競賽中趕上規(guī)模更大的韓國和美國同行。(愛集微)
業(yè)內(nèi)人士透露,長江存儲最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品,預(yù)計將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。據(jù)《電子時報》報道,上述人士表示,推出192層3D NAND閃存芯片,是長江存儲的一個里程碑。該公司正努力在技術(shù)競賽中趕上規(guī)模更大的韓國和美國同行。(愛集微)
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