10月27日上午，光刻機（膠）板塊大漲，截至午間收盤，晶瑞電材漲幅超過15%，安泰科技、萬潤股份10%漲停，錦華新材、佳先股份、聯(lián)合化學、艾森股份、彤程新材、鋼研納克、南大光電、江化微等漲幅居前。
消息面上，我國首個EUV光刻膠標準立項。國家標準委網站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準，10月23日開始公示，截止時間為11月22日。該標準的制定不僅能夠填補國內在該領域的技術標準空白，更將通過建立統(tǒng)一的測試方法體系，為國內外EUV光刻膠的性能評價提供客觀標尺，提升我國在全球半導體材料領域的話語權和競爭力。當前，隨著全球半導體產業(yè)向先進制程加速演進，EUV光刻技術已成為7 nm及以下節(jié)點的唯一量產方案。但是，EUV光刻膠完全被國外先進半導體材料公司所壟斷（JSR、東京應化等占據(jù)超過95%全球市場份額），國產化率為零，國內的研發(fā)也仍處于起步階段，亟需突破材料自主化與標準化壁壘。
在基礎研究方面，北京大學、南開大學、華東理工大學、清華大學相關研究成果好消息不斷。近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產業(yè)化方案。10月16日，南開大學現(xiàn)代光學研究所發(fā)布消息，其研究團隊在氧化鈦團簇光刻材料領域取得重要進展，成功實現(xiàn)原本光刻惰性的鈦氧簇表現(xiàn)出納米圖案化應用，并最終制備出12.9納米高分辨負性光刻圖案，為繼續(xù)發(fā)展鈦氧簇基EUV光刻膠奠定基礎。9月19日，華東理工大學發(fā)布消息稱，該校先進光刻膠薄膜沉積制備研究獲進展，提出了一種間歇性旋涂化學液相沉積制備非晶態(tài)沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜的方法，實現(xiàn)了薄膜沉積速率和厚度的可控，并進行了電子束光刻和超越極紫外光刻驗證。7月28日，清華大學發(fā)布消息稱，該校化學系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。
上市公司方面，光刻膠相關概念股有20余只，截至10月26日，已有6家公司發(fā)布三季報數(shù)據(jù)，業(yè)績全部向好。晶瑞電材前三季度歸母凈利潤1.28億元，同比增長超192倍，公司表示主要系產品毛利上漲，交易性金融資產價格波動所致。久日新材前三季度歸母凈利潤271.98萬元，同比扭虧。公司表示，報告期內穩(wěn)步實現(xiàn)了部分光引發(fā)劑產品提價策略落地。艾森股份前三季度歸母凈利潤為3448萬元，同比上升44.7%，報告期內公司下游終端需求的持續(xù)增長，公司營業(yè)收入同比穩(wěn)健增長。瑞聯(lián)新材、鼎龍股份預告前三季度凈利潤均預增，康達新材預告扭虧。
據(jù)銳觀產業(yè)研究院報告，2024年我國光刻膠市場規(guī)模增長至114億元以上，預計2025年光刻膠市場規(guī)模可達123億元。銀河證券認為，光刻膠作為半導體、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎材料，其技術進步可以促進相關產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游材料供應商、設備制造商，中游光刻膠生產企業(yè)，以及下游光刻膠產品應用企業(yè)都能從中受益。
光刻機（膠）板塊相關股票：晶瑞電材、錦華新材、安泰科技、萬潤股份、佳先股份、聯(lián)合化學、艾森股份、彤程新材、鋼研納克、南大光電、江化微。
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責任編輯：劉栩
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